存储市"场6月迎来"月迎来复苏

Nand Flash控制芯片大厂慧荣科技总经理苟嘉章指出，短期全球存储市场虽面临库存压力，需求疲软等挑战，但随着产业链调整与供需结构改善，市场前景正逐步显现回暖迹象，预计6月将迎来复苏，下半年产业市况转佳。

供应面来看，美国针对出口至中国的存储工厂制造设备实施管制，将会延缓在DRAM领域的扩张步伐。

尽管部分企业在设备采购上已提前布局，但后续在参数校正、设备维护方面仍面临挑战，这将在一定程度上抑制传统DRAM产品产能的快速扩充。

上游原厂现阶段调整产能，以维持价格稳定，避免市场重演过往低迷行情。

慧荣表示，无论是Nand Flash或DRAM，均倾向宁可少卖，也不轻易让价。

尤其Nand Flash领域，减产动作更为明显，相对于DRAM，该类产品的价格走势更显乐观；而DDR4、DDR3等传统产品还存有变数，DDR5与HBM等高阶产品价格较稳定。

从需求来看，看好下半年因工业应用已沉寂许久，预期需求将由工控市场的规格升级带动，消费性需求紧随其后，其中手机市场因补贴政策与新兴技术的推动，需求应会较预期乐观。

不过预期今年景气还没完全落底，虽然市况已稍微好转，但应要到明年才会触底反弹，强调今年是市场会复苏，但力道还不大。

值得一提的是，DeepSeek的模型有利边缘AI技术加速落地应用，企业想要发展AI不再依赖传统英伟达的CUDA架构，预期小型语言模型开发为存储产业带来新动能。

AI也从PC延伸到手机领域，例如腾讯宣布引入DeepSeek技术，加速产品创新、缩短开发周期；明年手机品牌在AI应用上将百花齐放。

关于慧荣的技术拓展，正在开发4nm先进制程的PCIe 6.0 SSD主控芯片。

该产品计划整合先进安全功能，支持下一代3D TLC与 3D QLC NAND闪存技术，预期明年将Tape out，后年会是主力项目。

（内容来源：新华社）